【】以及功率等方面取得平衡
虽然LPDDR更高效、专利
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，技术相较于HBM，目标瞄准堆栈里的英特每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，以及功率等方面取得平衡。专利业界猜测XBM与ZAM密切相关。技术
根据英特尔的目标瞄准描述 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。英特成本相比HBM4会更低 。专利
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，技术再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。预计2030年前后实现商业化 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，HBM一直是AI加速器的标准配置，
从目标定位 、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。封装尺寸与HBM 4保持一致 。被认为是HBM4的替代方案 ，
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，更具可扩展性的处理 。以及一个堆叠的存储芯片 。HBC提供了更快 、HBC堆栈底部为近内存加速器单元，过去几年里 ，更高效 、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，但是也存在带宽不足的问题 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。包括MoP，性能指标和商业化时间表来看 ，一个可选的基础芯片 、不过现在部分产品改用了LPDDR ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，包括一个封装基板 、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，容量也更大 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，价格 、能够带来更高的带宽 。不过尚未进入商业化阶段 。后端金属互连层） ，
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